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FZT855

更新时间: 2024-11-26 10:22:59
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 168K
描述
SOT223 NPN SILICON PLANAR

FZT855 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-223
包装说明:SOT-223, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.25
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:150 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):90 MHz
Base Number Matches:1

FZT855 数据手册

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SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT  
(HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR  
FZT855  
ISSUE 4 - NOVEMBER 2001  
FEATURES  
*
Up to 5 Amps continuous collector current, up to 10 Amp peak  
C
*
*
Very low saturation voltage  
Excellent hFE specified up to 10 Amps  
E
PARTMARKING DETAIL -  
COMPLEMENTARY TYPE -  
FZT855  
FZT955  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
250  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
150  
6
V
Peak Pulse Current  
10  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
5
A
Ptot  
3
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 4 inch square minimum  
78  

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