FZT857

更新时间： 2024-11-23 10:22:59

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
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SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT

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FZT857 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	7.1
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

FZT857 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR

FZT857

ISSUE 5 - AUGUST 2003

FEATURES

Up to 3.5 Am ps continuous collector current, up to 5 Am p peak

V_CEO= 300V

Very low saturation voltage

Excellent h_FEspecified up to 3 Am ps

PARTMARKING DETAIL -

COMPLEMENTARY TYPE -

FZT857

FZT957

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

350

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

300

Pe a k Pu ls e Cu rre n t

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ra tin g a n d S to ra g e Te m p e ra tu re Ra n g e

I_C

3.5

P_{to t}

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

*The power which can be dissipated assum ing the device is m ounted in a typical m anner on a

P.C.B. with copper equal to 2 inches square.

12 3

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FZT857 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FZT857TA	DIODES	类似代替	300V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223
FZT857TC	DIODES	功能相似	Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy

与FZT857相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT857_03	ZETEX	获取价格	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR
FZT857Q	DIODES	获取价格	NPN, 300V, 3.5A, SOT223
FZT857QTA	DIODES	获取价格	300V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223
FZT857TA	DIODES	获取价格	300V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223
FZT857TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
FZT869	TYSEMI	获取价格	Extremely low equivalent on-resistance; RCE(s
FZT869	DIODES	获取价格	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT
FZT869	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Planar High Current (High Performance) Transistor
FZT869	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
FZT869TA	DIODES	获取价格	SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR

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