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FZT948TC

更新时间： 2024-01-20 12:05:19

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	214K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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FZT948TC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
VCEsat-Max：	0.45 V	Base Number Matches：	1

FZT948TC 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

FZT948

FZT949

ISSUE 2 - NOVEMBER 1995

FEATURES

Extremely low equivalent on-resistance; R_CE(sat)

6 Amps continuous current

Up to 20 Amps peak current

Very low saturation voltage

Excellent h_FEcharacteristics specified upto 20 Amps

PARTMARKING DETAILS — DEVICE TYPE IN FULL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

FZT948

-40

FZT949

-50

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-20

-30

-6

-20

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

-6

-5.5

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:Tstg

-55 to +150

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum

TBA

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FZT949	ZETEX	PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS	获取价格
FZT949	DIODES	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT	获取价格
FZT949	KEXIN	PNP Silicon Planar High Current (High Performance) Transistor	获取价格
FZT949	TYSEMI	6 Amps continuous current, Up to 20 Amps peak current	获取价格
FZT949Q	DIODES	PNP, 30V, 5.5A, SOT223	获取价格
FZT949QTA	DIODES	Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格