FZT855

更新时间： 2024-11-22 22:48:51

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
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描述
NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR

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FZT855 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	3 W	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
VCEsat-Max：	0.355 V	Base Number Matches：	1

FZT855 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR

FZT855

ISSUE 4 - NOVEMBER 2001

✪

FEATURES

Up to 5 Amps continuous collector current, up to 10 Amp peak

Very low saturation voltage

Excellent h_FEspecified up to 10 Amps

PARTMARKING DETAIL -

COMPLEMENTARY TYPE -

FZT855

FZT955

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

250

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

150

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 4 inch square minimum

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