FZT869TA

更新时间： 2024-02-29 23:11:22

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管 PC 局域网
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SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR

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FZT869TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.35 V	Base Number Matches：	1

FZT869TA 数据手册

SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR

ISSUE 2 - JANUARY 1996

FZT869

FEATURES

Extremely low equivalent on-resistance; R_CE(sat)36mΩ at 5A

7 Amp continuous collector current (20 Amp peak)

Very low saturation voltages

Excellent gain charateristics specified upto 20 Amp

P_tot=3 Watts

PARTMARKING DETAILS -

FZT869

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 4 inch square minimum

3 - 271

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FZT869TA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX869	DIODES	功能相似	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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FZT948TA	DIODES	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS	获取价格
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FZT948TC	ZETEX	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4	获取价格