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FZT869

更新时间： 2024-01-21 13:49:45

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	39K
描述
NPN Silicon Planar High Current (High Performance) Transistor

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FZT869 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.19
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	300	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.35 V	Base Number Matches：	1

FZT869 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Silicon Planar High Current

(High Performance) Transistor

FZT869

SOT-223

Unit: mm

+0.2

3.50

-0.2

+0.2

-0.2

6.50

Features

Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)44mÙ at 5A.

7 Amp continuous collector current (20 Amp peak).

Very low saturation voltages.

+0.2

0.90

-0.2

+0.1

-0.1

3.00

+0.3

7.00

-0.3

Excellent gain charateristics specified upto 20 Amp.

Ptot = 3 Watts.

1 base

+0.1

0.70

-0.1

2.9

2 collector

3 emitter

4.6

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Peak pulse current

Continuous collector current

Power dissipation

ICM

Ptot

Operating and storage temperature range

T^j,Tstg

-55 to +150

www.kexin.com.cn

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