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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT788BTA
FZT788BTA PDF预览

FZT788BTA

更新时间： 2024-09-16 11:55:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
2页 84K
描述
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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FZT788BTA 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：0.77Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：441233
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT223 (AP02002)
Samacsys Released Date：2017-04-27 09:34:42Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：150JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FZT788BTA 数据手册

 浏览型号FZT788BTA的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FZT788B  
FEATURES  
C
*
*
Low equivalent on-resistance; RCE(sat) 93mΩ at 3A  
Gain of 300 at IC=2 Amps and Very low saturation voltage  
E
APPLICATIONS  
Battery powered circuits  
*
C
COMPLEMENTAY TYPE – FZT688B  
PARTMARKING DETAIL – FZT788B  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-15  
Collector-Emitter Voltage  
-15  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Peak Pulse Current  
-8  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
-3  
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
= 25°C)  
-55 to +150  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO -15  
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO -15  
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
V(BR)EBO -5  
ICBO  
V
-0.1  
-0.1  
VCB=-10V  
µA  
µA  
IEBO  
VEB=-4V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-0.15  
-0.25  
-0.45  
-0.5  
V
V
V
IC=-0.5A, IB=-2.5mA*  
IC=-1A, IB=-5mA*  
IC=-2A, IB=-10mA*  
IC=-3A, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-0.9  
V
V
IC=-1A, IB=-5mA*  
Base-Emitter Turn-On Voltage  
VBE(on)  
hFE  
-0.75  
IC=-1A, VCE=-2V*  
Static Forward Current Transfer  
Ratio  
500  
1500  
IC=-10mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
IC=-6A, VCE=-2V*  
400  
300  
150  
Transition Frequency  
fT  
100  
MHz  
IC=-50mA, VCE=-5V  
f=50MHz  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cibo  
225  
25  
pF  
pF  
VEB=-0.5V, f=1MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
Cobo  
ton  
toff  
35  
400  
ns  
ns  
IC=-500mA, IB1=-50mA  
IB2=-50mA, VCC=-10V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 244  
12

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FZT788BTA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DPLS315E-13 DIODES

类似代替

 LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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功能相似

 SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZT789A TYSEMI

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