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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT790A
FZT790A PDF预览

FZT790A

更新时间： 2024-09-15 10:22:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

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FZT790A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：0.62
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

FZT790A 数据手册

 浏览型号FZT790A的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FZT790A  
FEATURES  
*
*
Very low equivalent on-resistance; RCE(sat) 125mΩ at 2A  
C
Gain of 200 at IC=1 Amp and very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
DC-DC converters, Siren drivers.  
E
*
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
FZT690B  
FZT790A  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-50  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-40  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-6  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-3  
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C)  
amb  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
PARAMETER  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-50  
-40  
-5  
-70  
-60  
-8.5  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
-0.1  
-10  
V
V
CB=-30V  
CB=-30V,Tamb=100°C  
µA  
µA  
IEBO  
-0.1  
V
EB=-4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.15 -0.25  
-0.30 -0.45  
-0.40 -0.75  
V
V
V
IC=-500mA, IB=-5mA*  
IC=-1A, IB=-10mA*  
IC=-2A, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-0.8  
-1.0  
V
IC=-1A, IB=-10mA*  
Base-EmitterTurn-OnVoltage VBE(on)  
-0.75  
V
IC=-1A, VCE=-2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
300  
250  
200  
150  
800  
IC=-10mA, VCE=-2V  
IC=-500mA, VCE=-2V*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
Transition Frequency  
fT  
100  
MHz IC=-50mA, VCE=-5V  
f=50MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
24  
pF  
VCB=-10V,f=1MHz  
ton  
toff  
35  
600  
ns  
ns  
IC=-500mA,  
IB1=-50mA,  
I
B2=-50mA, VCC=-10V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 248  
12

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