FZT790A

更新时间： 2024-11-24 22:06:27

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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FZT790A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.75 V	Base Number Matches：	1

FZT790A 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

FZT790A

FEATURES

Very low equivalent on-resistance; R_CE(sat)125mΩ at 2A

Gain of 200 at I_C=1 Amp and very low saturation voltage

APPLICATIONS

DC-DC converters, Siren drivers.

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

FZT690B

FZT790A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-50

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-5

Peak Pulse Current

-6

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

-3

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C)

amb

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

PARAMETER

Breakdown Voltages

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-50

-40

-5

-70

-60

-8.5

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

I_E=-100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-0.1

-10

_CB=-30V

_CB=-30V,_Tamb=100°C

µA

I_EBO

-0.1

_EB=-4V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.15 -0.25

-0.30 -0.45

-0.40 -0.75

I_C=-500mA, I_B=-5mA*

I_C=-1A, I_B=-10mA*

I_C=-2A, I_B=-50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

-0.8

-1.0

I_C=-1A, I_B=-10mA*

Base-EmitterTurn-OnVoltage V_BE(on)

-0.75

I_C=-1A, V_CE=-2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

h_FE

300

250

200

150

800

I_C=-10mA, V_CE=-2V

I_C=-500mA, V_CE=-2V*

I_C=-1A, V_CE=-2V*

I_C=-2A, V_CE=-2V*

Transition Frequency

f_T

100

MHz I_C=-50mA, V_CE=-5V

f=50MHz

Output Capacitance

Switching Times

C_obo

V_CB=-10V,f=1MHz

t_on

t_off

600

I_C=-500mA,

I_B1=-50mA,

_B2=-50mA, V_CC=-10V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 248

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