5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT795A
FZT795A PDF预览

FZT795A

更新时间： 2024-11-06 10:22:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 局域网
页数 文件大小 规格书
2页 88K
描述
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

阅读下载

中文翻译

获取价格

FZT795A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.18
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FZT795A 数据手册

 浏览型号FZT795A的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FZT795A  
FEATURES  
*
*
140 Volt VCEO  
C
Gain of 250 at IC=0.2 Amps and very low VCE(sat)  
APPLICATIONS  
Battery powered circuits  
*
E
COMPLEMENTARY TYPE – FZT694B  
PARTMARKING DETAIL – FZT795A  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-140  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-140  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-1  
-500  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
mA  
W
°C  
Ptot  
2
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C)  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO -140  
V(BR)CEO -140  
V(BR)EBO -5  
ICBO  
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
VCB=-100V  
VEB=-4V  
V
V
Cut-Off Currents  
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
IEBO  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
-0.3  
-0.3  
-0.25  
V
V
V
IC=-100mA, IB=-1mA*  
IC=-200mA, IB=-5mA*  
IC=-500mA, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.95  
V
IC=-500mA, IB=-50mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
-0.75  
V
IC=-500mA, VCE=-2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
300  
250  
100  
800  
IC=-10mA, VCE=-2V*  
IC=-200mA, VCE=-2V*  
IC=-300mA, VCE=-2V*  
Transition Frequency  
fT  
100  
MHz IC=-50mA, VCE=-5V  
f=50MHz  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cibo  
225  
15  
pF  
pF  
VEB=-0.5V, f=1MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
Cobo  
ton  
toff  
100  
1900  
ns  
ns  
IC=-100mA, IB1=-10mA  
IB2=-10mA, VCC=-50V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 253  
12

中文翻译

下载PDF

与FZT795A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZT795AQ DIODES

获取价格

 		PNP, 140V, 0.5A, SOT223
FZT795ATC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
FZT796 ZETEX

获取价格

 		PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT796A ZETEX

获取价格

 		PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT796A DIODES

获取价格

 		SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM
FZT796ATA ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
FZT796ATC DIODES

获取价格

 		暂无描述
FZT849 ZETEX

获取价格

 		NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
FZT849 DIODES

获取价格

 		SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT
FZT849 TYSEMI

获取价格

 		Extremely low equivalent on-resistance; RCE(s

与FZT795A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证