FZT796A

更新时间： 2024-11-06 10:22:59

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
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SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

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FZT796A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

FZT796A 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM

POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

FZT796A

FEATURES

200 Volt V_CEO

Gain of 250 at I_C=0.3 Amps

Very low saturation voltage

APPLICATIONS

Battery powered circuits

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

FZT696B

FZT796A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

-200

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-200

-5

Peak Pulse Current

-1

-0.5

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C)

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Breakdown Voltage

Collector-Base

Collector-Emitter

V_(BR)CBO-200

V_(BR)CEO-200

I_C=-100µA

I_C=-10mA*

Emitter-Base

V_(BR)EBO-5

I_CBO

I_E=-100µA

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

-0.1

V_CB=-150V

µA

I_EBO

V_EB=-4V

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.2

-0.3

I_C=-50mA, I_B=-2mA*

I_C=-100mA, I_B=-5mA*

I_C=-200mA, I_B=-20mA*

I_C=-200mA,I_B=-20mA*

I_C=-200mA,V_CE=-10V*

Base-EmitterSaturationVoltage V_BE(sat)

-0.95

Base-EmitterTurn-OnVoltage

V_BE(on)

h_FE

-0.67

Static Forward Current

Transfer Ratio

300

250

100

800

I_C=-10mA, V_CE=-10V*

I_C=-100mA, V_CE=-10V*

I_C=-300mA, V_CE=-10V*

I_C=-400mA, V_CE=-10V*

Transition Frequency

f_T

100

MHz I_C=-50mA, V_CE=-5V

f=50MHz

Input Capacitance

Output Capacitance

Switching Times

C_ibo

225

V_EB=-0.5V, f=1MHz

V_CB=-10V, f=1MHz

C_obo

t_on

t_off

100

3200

I_C=-100mA, I_B1=-10mA

I_B2=-10mA, V_CC=-50V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

3 - 255

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