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FZT790AD84Z

更新时间： 2024-09-16 14:42:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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FZT790AD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.11
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：75 MHzBase Number Matches：1

FZT790AD84Z 数据手册

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FZT790A  
PNP Low Saturation Transistor  
4
•
These devices are designed with high current gain and low saturation  
voltage with collector currents up to 3A continuous.  
3
2
1
SOT-223  
1. Base 2.4. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings * T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
CEO  
50  
V
CBO  
EBO  
5
V
I
- Continuous  
3
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ +150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Units  
Off Characteristics  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 10mA, I = 0  
60  
80  
5
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
C
C
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 100µA, I = 0  
C
I
V
V
= 30V, I = 0  
100  
10  
nA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
E
= 30V, I = 0, T = 100°C  
E
A
I
Emitter Cut-off Current  
V
= 4V, I = 0  
100  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
I
I
I
I
= 100mA, V = 2V  
70  
250  
80  
FE  
C
C
C
C
CE  
= 500mA, V = 2V  
550  
CE  
= 1A, V = 2V  
CE  
= 2A, V = 2V  
40  
CE  
V
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
I
= 1A, I = 100mA  
300  
1.25  
1
mV  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
BE(on)  
C
C
C
B
= 1A, I = 100mA  
B
= 1A, V = 2V  
V
CE  
Small Signal Characteristics  
C
Output Capacitance  
Transition Frequency  
V
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
45  
pF  
obo  
CB  
E
f
I
= 10mA, V = 5V,  
75  
MHz  
T
C
CE  
f = 100MHz  
* Pulse Test: Pulse Width ≤300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
NOTE: All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Max.  
2
Units  
W
P
Total Device Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
D
R
62.5  
°C/W  
θJA  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, December 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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