5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT789A
FZT789A PDF预览

FZT789A

更新时间： 2024-09-15 22:06:27
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 85K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

FZT789A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.13
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

FZT789A 数据手册

 浏览型号FZT789A的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 – OCTOBER 1995  
FZT789A  
FEATURES  
*
*
Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 93mΩ at 3A  
C
Gain of 200 at IC=2 Amps and very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
Battery powered circuits, fast charge converters  
*
E
C
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
FZT689B  
FZT789A  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-25  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-25  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-6  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-3  
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C)  
amb  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
PARAMETER  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO -25 -40  
V(BR)CEO -25 -35  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
V(BR)EBO -5  
ICBO  
-8.5  
Collector Cut-Off Current  
-0.1  
10  
VCB=-15V  
VCB=-15V, Tamb=100°C  
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
Saturation Voltages  
IEBO  
-0.1  
VEB=-4V  
µA  
VCE(sat)  
-0.15 -0.25  
-0.30 -0.45  
-0.30 -0.50  
V
V
V
IC=-1A, IB=-10mA*  
IC=-2A, IB=-20mA*  
IC=-3A, IB=-100mA*  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-0.8 -1.0  
-0.8  
V
V
IC=-1A, IB=-10mA*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
300  
800  
IC=-10mA, VCE=-2V  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
IC=-6A, VCE=-2V*  
250  
200  
100  
Transition Frequency  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
fT  
100  
MHz IC=-50mA, VCE=-5V, f=50MHz  
Cibo  
Cobo  
225  
25  
pF  
pF  
VEB=-0.5V, f=1MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
IC=-500mA, IB1=-50mA  
ton  
toff  
35  
400  
ns  
ns  
IB2=-50mA, VCC=-10V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 246  
12

中文翻译

下载PDF

与FZT789A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZT789A-PNP ZETEX

获取价格

 		PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT789AQ DIODES

获取价格

 		PNP, 25V, 3A, SOT223
FZT789AQTA DIODES

获取价格

 		25V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223
FZT789ATA DIODES

获取价格

 		25V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223
FZT789ATC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT789ATC ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT790A ZETEX

获取价格

 		PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
FZT790A FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Low Saturation Transistor
FZT790A ONSEMI

获取价格

 		PNP 低饱和晶体管
FZT790A KEXIN

获取价格

 		PNP Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor

与FZT789A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证