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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> FZT789A
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FZT789A

更新时间： 2024-11-25 10:22:59
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美台 - DIODES 晶体晶体管开关光电二极管局域网
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2页 85K
描述
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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FZT789A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SOT-223, 3 PIN
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：1.37
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FZT789A 数据手册

 浏览型号FZT789A的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 – OCTOBER 1995  
FZT789A  
FEATURES  
*
*
Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 93mΩ at 3A  
C
Gain of 200 at IC=2 Amps and very low saturation voltage  
APPLICATIONS  
Battery powered circuits, fast charge converters  
*
E
C
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
FZT689B  
FZT789A  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-25  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-25  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-6  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-3  
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C)  
amb  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
PARAMETER  
Breakdown Voltages  
V(BR)CBO -25 -40  
V(BR)CEO -25 -35  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
V(BR)EBO -5  
ICBO  
-8.5  
Collector Cut-Off Current  
-0.1  
10  
VCB=-15V  
VCB=-15V, Tamb=100°C  
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
Saturation Voltages  
IEBO  
-0.1  
VEB=-4V  
µA  
VCE(sat)  
-0.15 -0.25  
-0.30 -0.45  
-0.30 -0.50  
V
V
V
IC=-1A, IB=-10mA*  
IC=-2A, IB=-20mA*  
IC=-3A, IB=-100mA*  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-0.8 -1.0  
-0.8  
V
V
IC=-1A, IB=-10mA*  
IC=-1A, VCE=-2V*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
300  
800  
IC=-10mA, VCE=-2V  
IC=-1A, VCE=-2V*  
IC=-2A, VCE=-2V*  
IC=-6A, VCE=-2V*  
250  
200  
100  
Transition Frequency  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
fT  
100  
MHz IC=-50mA, VCE=-5V, f=50MHz  
Cibo  
Cobo  
225  
25  
pF  
pF  
VEB=-0.5V, f=1MHz  
VCB=-10V, f=1MHz  
IC=-500mA, IB1=-50mA  
ton  
toff  
35  
400  
ns  
ns  
IB2=-50mA, VCC=-10V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 246  
12

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