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FS75R07N2E4_B11

更新时间: 2024-11-27 19:16:51
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英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 945K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

FS75R07N2E4_B11 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13针数:25
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.54
外壳连接:ISOLATED集电极-发射极最大电压:650 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码:R-XUFM-X13
元件数量:6端子数量:13
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):320 ns标称接通时间 (ton):45 ns
Base Number Matches:1

FS75R07N2E4_B11 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FS75R07N2E4_B11  
EconoPACK™2ꢀ模块ꢀ采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管  
带有pressfit压接管脚和温度检测NTC  
EconoPACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 650V  
IC nom = 75A / ICRM = 150A  
典型应用  
TypicalꢀApplications  
电机传动  
• MotorꢀDrives  
电气特性  
ElectricalꢀFeatures  
增加阻断电压至650V  
高短路能力,自限制短路电流  
• Increasedꢀblockingꢀvoltageꢀcapabilityꢀtoꢀ650V  
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short  
CircuitꢀCurrent  
沟槽栅IGBT4  
Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• TrenchꢀIGBTꢀ4  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
机械特性  
MechanicalꢀFeatures  
集成NTC温度传感器  
铜基板  
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor  
• CopperꢀBaseꢀPlate  
PressFITꢀ压接技术  
标封装  
• PressFITꢀContactꢀTechnology  
• StandardꢀHousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀAS  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-08  
revision:ꢀ2.0  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1

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