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FS50R06KE3

更新时间： 2024-09-27 14:54:39

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FS50R06KE3 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS50R06KE3

EconoPACK™3ꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstopꢀIGBT³ꢀundꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀ

EconoPACK™3ꢀwithꢀfastꢀtrench/fieldstopꢀIGBT³ꢀandꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

600

ꢀ

Collector-emitterꢀvoltage

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 175°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

100

190

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 50 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,45 1,90

1,60

1,70

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 0,80 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

4,9

5,8

0,50

0,0

3,10

0,095

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 600 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 50 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 8,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,023

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 50 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 8,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,015

0,018

0,02

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 50 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 8,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,18

0,20

0,205

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 50 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 8,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,055

0,06

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 50 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 2800 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 8,2 Ω

T_vj= 25°C

0,30

0,34

0,43

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 50 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 4200 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 8,2 Ω

T_vj= 25°C

1,30

1,60

1,70

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 360 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 6 µs, T_vj= 150°C

350

250

I_SC

ꢀ

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,20

ꢀ

0,80 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀCM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS50R06KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C)
FS50R06KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C)
FS50R06KF3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C)
FS50R06KL2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C)
FS50R06W1E3	INFINEON	获取价格	EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
FS50R06W1E3_B11	INFINEON	获取价格	EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT /
FS50R06W1E3BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22
FS50R06YE3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FS50R06YL4	EUPEC	获取价格	IGBT-Module
FS50R07N2E4	INFINEON	获取价格	EconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC

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