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FS100R12KT4G_B11 PDF预览

FS100R12KT4G_B11

更新时间： 2024-11-18 10:24:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 319K
描述
EconoPACK3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode

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FS100R12KT4G_B11 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35针数：35
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.56外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：100 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X35元件数量：6
端子数量：35最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：515 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：570 ns
标称接通时间 (ton)：165 nsVCEsat-Max：2.2 V
Base Number Matches：1

FS100R12KT4G_B11 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS100R12KT4G_B11  
EconoPACK™3 Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und EmCon4 Diode  
EconoPACK™3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
I† ÒÓÑ  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
1200  
100  
V
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
T† = 95°C, TÝÎ = 175°C  
DC-collector current  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
200  
A
repetitive peak collector current  
Gesamt-Verlustleistung  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
total power dissipation  
515  
W
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 100 A, V•Š = 15 V  
I† = 100 A, V•Š = 15 V  
I† = 100 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,75 2,20  
2,05  
2,10  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 4,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,2  
5,8  
0,80  
7,5  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
6,30  
0,27  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0 mA  
100 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 100 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,115  
0,13  
0,135  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 100 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,025  
0,03  
0,03  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 100 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
0,37  
0,45  
0,48  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 100 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,6 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,06  
0,08  
0,09  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 100 A, V†Š = 600 V, L» = 40 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 3700 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
4,00  
6,50  
7,50  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
R•ÓÒ = 1,6 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 100 A, V†Š = 600 V, L» = 40 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
5,50  
8,50  
9,50  
mJ  
mJ  
mJ  
R•ÓËË = 1,6 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C  
360  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,29 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
0,085  
K/W  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Christoph Messelke  
approved by: Robert Severin  
date of publication: 2007-10-26  
revision: 2.0  
1
12345678

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