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FS100R12KT4GBOSA1

更新时间： 2024-11-18 20:03:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	467K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35

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FS100R12KT4GBOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35	针数：	35
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	18 weeks 1 day	风险等级：	2.07
外壳连接：	ISOLATED	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X35
元件数量：	6	端子数量：	35
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	165 ns
Base Number Matches：	1

FS100R12KT4GBOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT4G

EconoPACK™3ꢀModulꢀꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlled4ꢀDiodeꢀ

EconoPACK™3ꢀmoduleꢀꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlled4ꢀdiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

P_tot

ꢀ

1200

100

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

T_C= 95°C, T_{vj max}= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

200

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gesamt-Verlustleistung

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175°C

Totalꢀpowerꢀdissipation

515

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 100 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,75 2,20

2,05

2,10

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 4,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

5,2

5,8

0,80

7,5

6,30

0,27

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

100 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,115

0,13

0,135

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,025

0,03

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,37

0,45

0,48

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,06

0,08

0,09

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 3700 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

4,00

6,50

7,50

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 1,6 Ω

T_vj= 25°C

5,50

8,50

9,50

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 150°C

360

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,29 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,085

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

150

°C

preparedꢀby:ꢀCM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-04

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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FS100R12N2T4P	INFINEON	获取价格	TIM
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FS100R12PT4	INFINEON	获取价格	EconoPACK™4 Modul mit schnellem Trench/Feldst
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