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FS100R17KE3

更新时间： 2024-01-08 19:01:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	457K
描述
EconoPACK? 3 1700 V, 100 A 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IGBT 和温度检测 NTC 技术.

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FS100R17KE3 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R17KE3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1700

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

100

145

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

200

555

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 100 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,45

2,40

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 4,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,2

5,8

1,20

7,5

9,00

0,29

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,37

0,40

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,04

0,05

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,65

0,80

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,30

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 900 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

22,0

32,0

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 900 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,0 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

21,5

31,5

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

400

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

T_{vj op}

ꢀ

0,225 K/W

125 °C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMW

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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与FS100R17KE3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FS100R17KE3BOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35	获取价格
FS100R17KS4F	INFINEON	EconoPACK3 module with fast IGBT2 and SiC Diode for high frequency switching and NTC	获取价格
FS100R17N3E4	INFINEON	EconoDUAL? 3?1700 V，100 A 六单元 IGBT 模块，采用第四代快速	获取价格
FS100R17N3E4_B11	INFINEON	PressFIT	获取价格
FS100R17N3E4B11BOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor	获取价格
FS100R17N3E4BOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES	获取价格

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