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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23 |
| 针数： | 23 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.57 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X23 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 23 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 515 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 141 ns | VCEsat-Max： | 4.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS100R17N3E4 | INFINEON |
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EconoDUAL? 3?1700 V，100 A 六单元 IGBT 模块，采用第四代快速 |
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| FS100R17N3E4_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FS100R17N3E4B11BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FS100R17N3E4BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES |
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| FS100R17PE4 | INFINEON |
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EconoPACK™4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 |
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| FS100SM03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-247VAR |
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| FS100SM-03 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FS100SMH03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-247VAR |
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| FS100SMH-03 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FS100SMH-03 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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