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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS100VSH-03 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FS100VSH-03-T1 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FS100VSH-03-T2 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FS100VSJ03 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB |
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| FS100VSJ-03 | MITSUBISHI |
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HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS100VSJ-03 | POWEREX |
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Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS100VSJ-03F | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS100VSJ-03F-A1 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS100VSJ-03F-T11 | RENESAS |
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High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET |
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| FS100VSJ-03-T1 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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