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FS100UMJ-03F-A8

更新时间： 2024-11-06 07:00:11
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瑞萨 - RENESAS 开关
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

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FS100UMJ-03F-A8 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0057 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FS100UMJ-03F-A8 数据手册

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FS100UMJ-03F  
High-Speed Switching Use  
Nch Power MOS FET  
REJ03G0249-0100  
Rev.1.00  
Aug.20.2004  
Features  
•
•
•
•
•
Drive voltage : 4 V  
VDSS : 30 V  
r
DS(ON) (max) : 4.0 mΩ  
ID : 100 A  
Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 80 ns  
Outline  
TO-220  
2, 4  
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
1
2
3
3
Applications  
Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
30  
Unit  
Conditions  
V
V
VGS = 0 V  
±20  
VDS = 0 V  
100  
400  
100  
100  
400  
125  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
A
IDA  
A
L = 10 µH  
IS  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Mass  
ISM  
A
PD  
W
°C  
°C  
g
Tch  
Tstg  
—
– 55 to +150  
– 55 to +150  
2.0  
Typical value  
Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS100VS03 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
FS100VS-03 MITSUBISHI

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FS100VS-03-T1 MITSUBISHI

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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