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FS100VSH-03-T2

更新时间: 2024-11-05 14:50:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 182K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 4 PIN

FS100VSH-03-T2 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220S
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):100 A最大漏源导通电阻:0.0076 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FS100VSH-03-T2 数据手册

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