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FS100VSJ-03F-T11

更新时间： 2024-11-06 07:00:11

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瑞萨 - RENESAS		开关
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7页	103K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

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FS100VSJ-03F-T11 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220S
包装说明：	TO-220S, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS100VSJ-03F-T11 数据手册

FS100VSJ-03F

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G0264-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive voltage : 4 V

V_DSS: 30 V

_{DS(ON) (max)}: 4.0 mΩ

I_D: 100 A

Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 80 ns

Outline

TO-220S

2, 4

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Applications

Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

±20

V_GS= 0 V

V_DS= 0 V

100

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Source current

I_DM

400

I_DA

100

L = 10 µH

I_SM

100

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SA

400

P_D

125

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

1.2

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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