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FS100R17N3E4BOSA1 PDF预览

FS100R17N3E4BOSA1

更新时间： 2024-11-05 20:01:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅
页数 文件大小 规格书
9页 644K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES

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FS100R17N3E4BOSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：2.11最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：1700 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：1最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散 (Abs)：600 W
子类别：Insulated Gate BIP Transistors处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
VCEsat-Max：2.3 VBase Number Matches：1

FS100R17N3E4BOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS100R17N3E4  
EconoPACK™3ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀundꢀNTC  
EconoPACK™3ꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀandꢀNTC  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1700V  
IC nom = 100A / ICRM = 200A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• MotorꢀDrives  
• USV-Systeme  
• UPSꢀSystems  
ElektrischeꢀEigenschaften  
ElectricalꢀFeatures  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop  
• LowꢀVCEsat  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient  
MechanischeꢀEigenschaften  
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor  
• IsolierteꢀBodenplatte  
MechanicalꢀFeatures  
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor  
• IsolatedꢀBaseꢀPlate  
• Lötverbindungstechnik  
• SolderꢀContactꢀTechnology  
• StandardꢀHousing  
• Standardgehäuse  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀAS  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11  
revision:ꢀ2.0  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1
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与FS100R17N3E4BOSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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