FS100UMJ-03

更新时间： 2024-01-15 11:37:46

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS100UMJ-03 技术参数

生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.0057 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS100UMJ-03 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS100UMJ-03

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS100UMJ-03

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

4.5

1.3

10.5MAX.

f 3.6

1.0

0.8

2.54

0.5

2.6

w e

w r

q GATE

¡4V DRIVE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................. 30V

¡rDS (ON) (MAX) ............................................................ 4.7mΩ

¡ID ...................................................................................... 100A

¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) .......... 100ns

TO-220

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

±20

100

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

400

Avalanche drain current (Pulsed) L = 30µH

Source current

100

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

400

125

°C

Tch

–55 ~ +150

2.0

Tstg

—

Storage temperature

Weight

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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