5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS100UMJ-03F
FS100UMJ-03F PDF预览

FS100UMJ-03F

更新时间： 2024-11-05 07:00:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FS100UMJ-03F 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.33Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.0057 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FS100UMJ-03F 数据手册

 浏览型号FS100UMJ-03F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FS100UMJ-03F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FS100UMJ-03F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FS100UMJ-03F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FS100UMJ-03F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FS100UMJ-03F的Datasheet PDF文件第7页 
FS100UMJ-03F  
High-Speed Switching Use  
Nch Power MOS FET  
REJ03G0249-0100  
Rev.1.00  
Aug.20.2004  
Features  
•
•
•
•
•
Drive voltage : 4 V  
VDSS : 30 V  
r
DS(ON) (max) : 4.0 mΩ  
ID : 100 A  
Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 80 ns  
Outline  
TO-220  
2, 4  
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
1
2
3
3
Applications  
Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
30  
Unit  
Conditions  
V
V
VGS = 0 V  
±20  
VDS = 0 V  
100  
400  
100  
100  
400  
125  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
A
IDA  
A
L = 10 µH  
IS  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Mass  
ISM  
A
PD  
W
°C  
°C  
g
Tch  
Tstg  
—
– 55 to +150  
– 55 to +150  
2.0  
Typical value  
Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6  
1234567

中文翻译

下载PDF

与FS100UMJ-03F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS100UMJ-03F-A8 RENESAS

获取价格

 		High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS100VS03 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
FS100VS-03 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FS100VS-03-T1 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FS100VS-03-T2 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FS100VSH03 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
FS100VSH-03 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FS100VSH-03-T1 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FS100VSH-03-T2 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FS100VSJ03 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB

与FS100UMJ-03F相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证