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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS100UMJ-03F
FS100UMJ-03F PDF预览

FS100UMJ-03F

更新时间： 2024-09-16 07:00:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

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FS100UMJ-03F 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.33Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.0057 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FS100UMJ-03F 数据手册

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FS100UMJ-03F  
High-Speed Switching Use  
Nch Power MOS FET  
REJ03G0249-0100  
Rev.1.00  
Aug.20.2004  
Features  
•
•
•
•
•
Drive voltage : 4 V  
VDSS : 30 V  
r
DS(ON) (max) : 4.0 mΩ  
ID : 100 A  
Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 80 ns  
Outline  
TO-220  
2, 4  
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
1
2
3
3
Applications  
Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
30  
Unit  
Conditions  
V
V
VGS = 0 V  
±20  
VDS = 0 V  
100  
400  
100  
100  
400  
125  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
A
IDA  
A
L = 10 µH  
IS  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Mass  
ISM  
A
PD  
W
°C  
°C  
g
Tch  
Tstg  
—
– 55 to +150  
– 55 to +150  
2.0  
Typical value  
Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS100UMJ-03F-A8 RENESAS

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 		High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS100VS03 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
FS100VS-03 MITSUBISHI

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FS100VS-03-T1 MITSUBISHI

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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