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FS100UMH-03 PDF预览

FS100UMH-03

更新时间： 2024-11-06 14:50:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FS100UMH-03 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0076 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FS100UMH-03 数据手册

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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET  
FS100UMH-03  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
FS100UMH-03  
OUTLINE DRAWING  
Dimensions in mm  
4.5  
1.3  
10.5MAX.  
r
f 3.6  
1.0  
0.8  
D
2.54  
2.54  
0.5  
2.6  
q
w e  
w r  
q GATE  
¡2.5V DRIVE  
w DRAIN  
e SOURCE  
r DRAIN  
q
¡VDSS .................................................................................. 30V  
¡rDS (ON) (MAX) .............................................................5.4mΩ  
¡ID .......................................................................................100A  
¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ...........100ns  
e
TO-220  
APPLICATION  
Motor control, Lamp control, Solenoid control  
DC-DC converter, etc.  
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
VGS = 0V  
VDS = 0V  
30  
±10  
V
100  
A
IDM  
IDA  
Drain current (Pulsed)  
400  
A
Avalanche drain current (Pulsed) L = 30µH  
Source current  
100  
A
IS  
100  
A
ISM  
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
400  
A
PD  
125  
W
°C  
°C  
g
Tch  
Tstg  
—
–55 ~ +150  
–55 ~ +150  
2.0  
Storage temperature  
Weight  
Typical value  
Feb.1999  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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