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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13 | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.57 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1700 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X13 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 13 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 600 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1240 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 280 ns | VCEsat-Max： | 2.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS100SM03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS100SM-03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FS100SMH03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-247VAR |
|
| FS100SMH-03 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FS100SMH-03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FS100SMJ03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-247VAR |
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| FS100SMJ-03 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS100SMJ-03 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
| FS100UM03 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-220AB |
|
| FS100UM-03 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
|
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