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FS100R12KT4G_B11 PDF预览

FS100R12KT4G_B11

更新时间： 2024-02-13 17:08:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 319K
描述
EconoPACK3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode

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FS100R12KT4G_B11 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35针数：35
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.56外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：100 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X35元件数量：6
端子数量：35最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：515 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：570 ns
标称接通时间 (ton)：165 nsVCEsat-Max：2.2 V
Base Number Matches：1

FS100R12KT4G_B11 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS100R12KT4G_B11  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
1200  
100  
V
A
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IŒ  
IŒç¢  
I²t  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
200  
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
I²t - value  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C  
1550  
1500  
A²s  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
1,70 2,15  
1,65  
1,65  
V
V
V
VŒ  
Iç¢  
QØ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
150  
160  
165  
A
A
A
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
9,60  
17,0  
19,0  
µC  
µC  
µC  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 3600 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
4,10  
7,00  
8,00  
mJ  
mJ  
mJ  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode  
per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,50 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Diode / per diode  
/
0,145  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
NTC-Widerstand / NTC-thermistor  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Nennwiderstand  
rated resistance  
min. typ. max.  
5,00  
T† = 25°C  
Rèë  
ÆR/R  
Pèë  
k  
%
Abweichung von Ræåå  
deviation of Ræåå  
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â  
-5  
5
Verlustleistung  
power dissipation  
T† = 25°C  
20,0 mW  
B-Wert  
B-value  
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]  
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]  
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]  
Bèëõëå  
Bèëõîå  
Bèëõæåå  
3375  
3411  
3433  
K
K
K
B-Wert  
B-value  
B-Wert  
B-value  
Angaben gemäß gültiger Application Note.  
Specification according to the valid application note.  
prepared by: Christoph Messelke  
approved by: Robert Severin  
date of publication: 2007-10-26  
revision: 2.0  
2
12345678

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