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FS100R12KT4G_B11

更新时间： 2024-01-07 07:58:30

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英飞凌 - INFINEON		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	319K
描述
EconoPACK3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode

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技术参数
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FS100R12KT4G_B11 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35	针数：	35
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.56	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X35	元件数量：	6
端子数量：	35	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	515 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	570 ns
标称接通时间 (ton)：	165 ns	VCEsat-Max：	2.2 V
Base Number Matches：	1

FS100R12KT4G_B11 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KT4G_B11

Vorläufige Daten

preliminary data

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (IŒ)

Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)

switching losses diode-inverter (typical)

EØþÊ = f (R•)

R•ÓÒ = 1.6 Â, V†Š = 600 V

IŒ = 100 A, V†Š = 600 V

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

EØþÊ, TÝÎ = 125°C

EØþÊ, TÝÎ = 150°C

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

IŒ [A]

R• [Â]

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.

transient thermal impedance diode-inverter

ZÚÌœ† = f (t)

NTC-Temperaturkennlinie (typisch)

NTC-temperature characteristic (typical)

R = f (T)

100000

ZÚÌœ† : Diode

RÚáÔ

10000

1000

100

0,1

rÍ[K/W]: 0,03 0,165 0,16 0,145

τ_Í[s]:

0,01 0,02 0,05 0,1

0,01

0,001

0,01

0,1

t [s]

T† [°C]

100 120 140 160

prepared by: Christoph Messelke

approved by: Robert Severin

date of publication: 2007-10-26

revision: 2.0

1...3 4 567 8

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