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FS100R12KS4

更新时间： 2024-11-06 11:13:15

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关栅双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	441K
描述
EconoPACK™ 3 1200V 六单元 IGBT 模块，采用支持高频开关的第二代快速 IGBT

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FS100R12KS4 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X39	针数：	39
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	130 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X39
元件数量：	6	端子数量：	39
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	660 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	390 ns	标称接通时间 (ton)：	190 ns
VCEsat-Max：	3.7 V	Base Number Matches：	1

FS100R12KS4 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS100R12KS4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 70°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

100

130

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

200

660

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 100 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,20 3,70

3,85

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 4,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

1,10

5,0

6,80

0,42

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,12

0,13

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,05

0,06

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,31

0,36

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 100 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,02

0,03

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

12,0

5,00

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 100 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

600

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

T_{vj op}

ꢀ

0,19 K/W

125 °C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS100R12KT3	EUPEC	获取价格	IGBT-Module
FS100R12KT3	INFINEON	获取价格	EconoPACK?3 1200V 六单元 IGBT 模块，配备快速第三代沟槽栅 IGBT
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FS100R12KT3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-35
FS100R12KT4	INFINEON	获取价格	EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode
FS100R12KT4_B11	INFINEON	获取价格	EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode
FS100R12KT4B11BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FS100R12KT4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25
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FS100R12KT4G_B11	INFINEON	获取价格	EconoPACK3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode

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