生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级(Eas): | 210 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (ID): | 9.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.36 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 38 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQB10N20CTM | ROCHESTER |
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9.5A, 200V, 0.36ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, D2PAK-3 | |
FQB10N20L | FAIRCHILD |
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200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQB10N20LTM | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FQB10N50CFTM-WS | ONSEMI |
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N 沟道 QFET® FRFET® MOSFET | |
FQB10N60C | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQB10N60CTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQB11N40 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
FQB11N40C | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET | |
FQB11N40CTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 400V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FQB11N40CTM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 400 V,10.5 A,530 mΩ,D2P |