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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB12N20L
FQB12N20L PDF预览

FQB12N20L

更新时间： 2024-11-17 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 609K
描述
200V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQB12N20L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.6 A最大漏极电流 (ID)：11.6 A
最大漏源导通电阻：0.32 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：46.4 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB12N20L 数据手册

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February 2001  
FQB12N20L / FQI12N20L  
200V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supply, motor control.  
•
•
•
•
•
•
•
11.6A, 200V, R  
= 0.28Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 16 nC)  
Low Crss ( typical 17 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
Low level gate drive requirement allowing direct  
opration from logic drivers  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB12N20L / FQI12N20L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
11.6  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
7.35  
46.4  
± 20  
210  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
11.6  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
9.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
90  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.72  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
1.39  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, February 2001  
1234567...9

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与FQB12N20L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB12N20LTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQB12N20TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQB12N50 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQB12N60 FAIRCHILD

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FQB12N60CTM ROCHESTER

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FQB12P20 FAIRCHILD

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 		200V P-Channel MOSFET
FQB12P20_08 FAIRCHILD

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 		200V P-Channel MOSFET
FQB12P20TM FAIRCHILD

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 		FQB12P20 / FQI12P20 200V P-Channel MOSFET

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