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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.31 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 870 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQB12P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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| FQB12P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
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| FQB12P20_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
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| FQB12P20TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
FQB12P20 / FQI12P20 200V P-Channel MOSFET |
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| FQB12P20TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-11.5 A，470 mΩ，D2 |
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| FQB12P20TM_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQB13N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQB13N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQB13N06LTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQB13N06TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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