是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | D2PAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.8 |
雪崩能效等级(Eas): | 810 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 12.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.43 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 170 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQB13N50C | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQB13N50C_08 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQB13N50CTM | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
FQB13N50CTM | ROCHESTER |
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13A, 500V, 0.48ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 | |
FQB140N03L | FAIRCHILD |
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30V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQB140N03LTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQB14N03L | FAIRCHILD |
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Transistor | |
FQB14N15 | FAIRCHILD |
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150V N-Channel MOSFET | |
FQB14N30 | FAIRCHILD |
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300V N-Channel MOSFET | |
FQB14N30TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 300V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |