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FQB14N15 PDF预览

FQB14N15

更新时间： 2024-10-31 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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9页 780K
描述
150V N-Channel MOSFET

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FQB14N15 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14.4 A最大漏极电流 (ID)：14.4 A
最大漏源导通电阻：0.21 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：104 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：57.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB14N15 数据手册

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与FQB14N15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB14N30 FAIRCHILD

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 		300V N-Channel MOSFET
FQB14N30TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 300V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQB14N30TM ROCHESTER

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FQB15P12TM ROCHESTER

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FQB16N15 FAIRCHILD

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FQB16N15TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 16.4A I(D), 150V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQB16N25 FAIRCHILD

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FQB16N25C FAIRCHILD

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