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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB12P20TM
FQB12P20TM PDF预览

FQB12P20TM

更新时间： 2024-11-01 12:48:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 1019K
描述
FQB12P20 / FQI12P20 200V P-Channel MOSFET

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FQB12P20TM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.84
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：810 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A
最大漏极电流 (ID)：11.5 A最大漏源导通电阻：0.47 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：120 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：46 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQB12P20TM 数据手册

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October 2008  
QFET®  
FQB12P20 / FQI12P20  
200V P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters.  
•
•
•
•
•
•
•
-11.5A, -200V, R  
= 0.47Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 31 nC)  
Low Crss ( typical 30 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS Compliant  
S
!
D
●
●
G!  
▶
▲
●
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB12P20 / FQI12P20  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
-200  
-11.5  
-7.27  
-46  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
810  
mJ  
A
-11.5  
12  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
120  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.96  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
1.04  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2008 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A1, Oct 2008  
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FQB12P20TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9640SPBF VISHAY

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