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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB16N25CTM
FQB16N25CTM PDF预览

FQB16N25CTM

更新时间： 2024-11-01 03:37:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 762K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FQB16N25CTM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.3雪崩能效等级（Eas）：410 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15.6 A
最大漏极电流 (ID)：15.6 A最大漏源导通电阻：0.27 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：139 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：62.4 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB16N25CTM 数据手册

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June 2006  
®
QFET  
FQB16N25C/FQI16N25C  
250V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
15.6A, 250V, RDS(on)  
=
0.27 Ω @VGS = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficiency switching DC/DC converters, switch mode power  
supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supplies  
and motor controls.  
Low gate charge ( typical 41nC)  
Low Crss ( typical 68pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
D
G
I2-PAK  
FQI Series  
S
D2-PAK  
FQB Series  
G
S
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQB16N25C / FQI16N25C  
Units  
V
VDSS  
Drain-Source Voltage  
250  
15.6  
ID  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
A
9.8  
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
62.4  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
410  
mJ  
A
15.6  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TA = 25°C)*  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
13.9  
mJ  
V/ns  
W
5.5  
3.13  
139  
W
- Derate above 25°C  
1.11  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQB16N25C / FQI16N25C Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.9  
40  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQB16N25C/FQI16N25C Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  
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FQB16N25CTM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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