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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB17N08L
FQB17N08L PDF预览

FQB17N08L

更新时间： 2024-09-16 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 573K
描述
80V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQB17N08L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16.5 A
最大漏极电流 (ID)：16.5 A最大漏源导通电阻：0.115 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：65 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：66 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB17N08L 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQB17N08L / FQI17N08L  
80V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
•
16.5A, 80V, R  
Low gate charge ( typical 8.8 nC)  
Low Crss ( typical 29 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
= 0.1Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as automotive,  
high efficiency switching for DC/DC converters, and DC  
motor control.  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
Low level gate drive requirements allowing  
direct operation from logic drives  
D
!
D
"
! "  
"
G !  
"
G
S
D2-PAK  
FQB Series  
I2-PAK  
FQI Series  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB17N08L / FQI17N08L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
80  
16.5  
11.6  
66  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
100  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
16.5  
6.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.75  
65  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.43  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.31  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
1234567...9

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与FQB17N08L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQB17N08LTM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQB17N08TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 80V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQB17P06 FAIRCHILD

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 		100V P-Channel MOSFET
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 		16.5A, 100V, 0.19ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
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 		Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
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FQB19N10LTM ROCHESTER

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 		19A, 100V, 0.11ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
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