是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.17 |
其他特性: | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级(Eas): | 360 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 400 V | 最大漏极电流 (ID): | 10.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.53 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 42 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | NOT SPECIFIED | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFW740BTM_NL | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFW740B | FAIRCHILD |
功能相似 |
400V N-Channel MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQB11N40CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 400V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FQB11N40CTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 400 V,10.5 A,530 mΩ,D2P | |
FQB11N40TM | DIODES |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET | |
FQB11P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET | |
FQB11P06_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET | |
FQB11P06TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel QFET MOSFET -60 V, -11.4 A, 175 mΩ | |
FQB11P06TM | ROCHESTER |
获取价格 |
11.4A, 60V, 0.175ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | |
FQB11P06TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-11.4 A,175 mΩ,D2P | |
FQB12N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET | |
FQB12N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |