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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQB11P06TM
FQB11P06TM PDF预览

FQB11P06TM

更新时间： 2024-11-21 12:27:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 1046K
描述
P-Channel QFET MOSFET -60 V, -11.4 A, 175 mΩ

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FQB11P06TM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：D2PAK-3针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.32
雪崩能效等级（Eas）：160 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.4 A最大漏极电流 (ID)：11.4 A
最大漏源导通电阻：0.175 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：53 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：45.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQB11P06TM 数据手册

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March 2013  
FQB11P06 / FQI11P06  
P-Channel QFET MOSFET  
-60 V, -11.4 A, 175 mΩ  
Description  
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to reduce  
on-state resistance, and to provide superior switching  
performance and high avalanche energy strength. These  
devices are suitable for switched mode power supplies,  
audio amplifier, DC motor control, and variable switching  
power applications.  
Features  
•
-11.4 A, -60 V, RDS(on) = 175 mΩ (Max) @VGS = -10 V,  
ID = -5.7 A  
•
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 13 nC)  
Low Crss (Typ. 45 pF)  
100% Avalanche Tested  
175°C Maximum Junction Temperature Rating  
S
!
D
●
G
●
▶
●
!
▲
I2-PAK  
D2-PAK  
FQB Series  
G
S
FQI Series  
G D S  
!
D
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQB11P06 / FQI11P06  
Unit  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
-60  
-11.4  
-8.05  
-45.6  
± 25  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
160  
mJ  
A
-11.4  
5.3  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-7.0  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
3.13  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
53  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.35  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
2.85  
40  
Unit  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
www.fairchildsemi.com  
©2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQB11P06 / FQI11P06 Rev. C0  
1234567...9

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