是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.69 |
雪崩能效等级(Eas): | 700 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 9.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.73 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 156 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 38 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTP10N60P | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFP10N60P | IXYS |
功能相似 |
Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFA10N60P | IXYS |
功能相似 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQB11N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET | |
FQB11N40C | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET | |
FQB11N40CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 400V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
FQB11N40CTM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 400 V,10.5 A,530 mΩ,D2P | |
FQB11N40TM | DIODES |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET | |
FQB11P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET | |
FQB11P06_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET | |
FQB11P06TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel QFET MOSFET -60 V, -11.4 A, 175 mΩ | |
FQB11P06TM | ROCHESTER |
获取价格 |
11.4A, 60V, 0.175ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | |
FQB11P06TM | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-11.4 A,175 mΩ,D2P |