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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQA46N15_NL
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FQA46N15_NL

更新时间： 2024-09-15 13:01:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 782K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-3PN, 3 PIN

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FQA46N15_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：650 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQA46N15_NL 数据手册

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August 2007  
®
QFET  
FQA46N15 / FQA46N15_F109  
150V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
50A, 150V, RDS(on) = 0.042Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 85 nC)  
Low Crss ( typical 100pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies, active power factor  
correction, electronic lamp ballast based on half bridge  
topology.  
D
G
TO-3P  
FQA Series  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQA46N15  
Units  
V
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
150  
50  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
A
35.3  
200  
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 25  
650  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
50  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
25  
mJ  
V/ns  
W
6.0  
250  
- Derate above 25°C  
1.67  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
0.6  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
0.24  
--  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
40  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQA46N15 / FQA46N15_F109 Rev. A1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA47P06 FAIRCHILD

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