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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1150 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 77.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 77.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 310 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA70N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQA70N10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，70 A，23 mΩ，TO-3P |
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| FQA70N10_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQA70N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
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| FQA70N15 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，150V，70A，28mΩ，TO-3P |
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| FQA7N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQA7N65C | FAIRCHILD |
获取价格 |
650V N-Channel MOSFET |
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| FQA7N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQA7N80_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQA7N80_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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