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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3PN |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.31 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 850 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 225 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2613(F) | TOSHIBA |
功能相似  |
MOSFET N-CH 1KV 8A 2-16C1B |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA8N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQA8N80_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQA8N80_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQA8N80C | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA8N80C_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQA8N80C_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA8N80C_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQA8N90C | ROCHESTER |
获取价格 |
8A, 900V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN |
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| FQA8N90C | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
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| FQA8N90C_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
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