5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3PN | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 580 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.2 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 198 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQA7N80C_F109 | FAIRCHILD |
类似代替  |
800V N-Channel MOSFET |
|
| AOTF8N80 | AOS |
功能相似 |
800V, 7.4A N-Channel MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA7N80C | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA7N80C_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA7N80C_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA7N80C_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQA7N80C-F109 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 7.0A, 1.9Ω |
|
| FQA7N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQA7N90M | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQA7N90M_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQA7N90M_F109 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQA85N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
