5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQA85N06
FQA85N06 PDF预览

FQA85N06

更新时间： 2024-09-15 22:25:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 647K
描述
60V N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQA85N06 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
雪崩能效等级（Eas）：815 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：214 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQA85N06 数据手册

 浏览型号FQA85N06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQA85N06的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQA85N06的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQA85N06的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQA85N06的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQA85N06的Datasheet PDF文件第7页 
May 2001  
TM  
QFET  
FQA85N06  
60V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
100A, 60V, R  
= 0.010Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 86 nC)  
Low Crss ( typical 165 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
G !  
"
TO-3P  
FQA Series  
!
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQA85N06  
60  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
100  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
71  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
350  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
815  
mJ  
A
AS  
100  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
21.4  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
214  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.43  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.70  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.24  
--  
40  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
12345678

中文翻译

下载PDF

FQA85N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB55NF06T4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

与FQA85N06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA8N100C FAIRCHILD

获取价格

 		1000V N-Channel MOSFET
FQA8N100C ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，1000 V，8.0 A，1.45 Ω，TO-3
FQA8N80 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQA8N80_06 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQA8N80_F109 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQA8N80C FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQA8N80C_06 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQA8N80C_07 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQA8N80C_F109 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQA8N90C ROCHESTER

获取价格

 		8A, 900V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN

与FQA85N06相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证