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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQA85N06
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FQA85N06

更新时间： 2024-11-08 22:25:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 647K
描述
60V N-Channel MOSFET

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FQA85N06 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
雪崩能效等级（Eas）：815 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：214 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQA85N06 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQA85N06  
60V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
100A, 60V, R  
= 0.010Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 86 nC)  
Low Crss ( typical 165 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
G !  
"
TO-3P  
FQA Series  
!
S
G
D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQA85N06  
60  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
100  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
71  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
350  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
815  
mJ  
A
AS  
100  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
21.4  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
214  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.43  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.70  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.24  
--  
40  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
12345678

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FQA85N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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