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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | TO-3P, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 660 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.8 A | 最大漏源导通电阻： | 2.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 23.2 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQA62N25C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，62 A，35 mΩ，TO-3P |
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| FQA62N25C | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FQA62N25C_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQA62N25CPWD | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，62 A，35 mΩ，TO-3P |
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| FQA65N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQA65N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQA65N20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，65 A，32 mΩ，TO-3P |
|
| FQA65N20_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FQA67MHZAAD00030 | FOX |
获取价格 |
Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 67MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN |
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| FQA67MHZAAD10030 | FOX |
获取价格 |
Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 67MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN |
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