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FQA62N25C

更新时间： 2024-09-14 22:38:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 880K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FQA62N25C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.86
雪崩能效等级（Eas）：2300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：62 A
最大漏极电流 (ID)：62 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：298 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：248 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQA62N25C 数据手册

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QFET®  
FQA62N25C  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
Features  
•
•
•
•
•
•
62A, 250V, RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 100 nC)  
Low Crss ( typical 63.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters and  
switch mode power supplies.  
D
{
●
◀
▲
●
●
G{  
{
S
TO-3P  
FQA Series  
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQA62N25C  
250  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
62  
39  
248  
A
A
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
VGSS  
EAS  
IAR  
EAR  
dv/dt  
PD  
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
± 30  
2300  
62  
29.8  
5.5  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
298  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
2.38  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
Max  
0.42  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
--  
0.24  
--  
40  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, March 2004  
12345678

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FQA62N25C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与FQA62N25C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA62N25C_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
FQA62N25CPWD ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，62 A，35 mΩ，TO-3P
FQA65N06 FAIRCHILD

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 		60V N-Channel MOSFET
FQA65N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQA65N20 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，65 A，32 mΩ，TO-3P
FQA65N20_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQA67MHZAAD00030 FOX

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 		Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 67MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN
FQA67MHZAAD10030 FOX

获取价格

 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 67MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN
FQA6N70 FAIRCHILD

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 		700V N-Channel MOSFET
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获取价格

 		800V N-Channel MOSFET

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